V zadnjih letih se je polprevodniška tehnologija hitro razvila in povpraševanje po tantalu, ki se uporablja kot napršen film, se je postopoma povečalo. V integriranih vezjih je tantal nameščen med silicijevim in bakrenim vodnikom kot difuzijska pregrada. Proizvodne metode zarazpršene tantalove tarčevključujejo metalurgijo ingotov (I/M) in metalurgijo prahu (P/M). Tantalove tarče z nižjimi zahtevami so običajno izdelane iz tantalovih ingotov. Vendar pa v nekaterih primerih z višjimi zahtevami metode I/M ni mogoče uporabiti, za izdelavo pa se lahko uporablja le metoda praškaste metalurgije. Metoda I/M na primer ne more proizvesti tarč iz zlitine zaradi različnih tališč tantala in silicija ter nizke žilavosti silicijevih spojin.
Snovi, ki onesnažujejo polprevodniško napravo, ne smejo biti prisotne v tvorbi filma. Ko se oblikuje razpršilni film, če so v tantalovi (zlitini, spojini) tarči nečistoče, se nečistoče vnesejo v razpršilno komoro, kar povzroči, da se grobi delci pritrdijo na substrat in povzročijo kratek stik v tankoslojnem vezju. Hkrati so lahko nečistoče tudi razlog za povečanje štrlečih delcev v tankem filmu. Nečistotni plini, kot so kisik, ogljik, vodik in dušik v tarči, bodo povzročili nenormalne pojave in težave pri enakomernosti oblikovanega filma. Poleg tega je za metodo praškaste metalurgije enakomernost nanesenega filma funkcija velikosti zrn v tarči in bolj fina kot je zrna v tarči, bolj enakomeren je film. Zato obstaja potreba po visokokakovostnem tantalovem prahu in tantalovih tarčah. Zato je za pridobitev visokokakovostnega tantalovega prahu in tantalove tarče treba zmanjšati vsebnost nečistoč v tantalovem prahu in povečati čistost tantalovega prahu.
Baoji Yusheng Metal Technology Co., Ltd. lahko proizvajatantalov prahrazličnih velikosti delcev. Pod predpostavko zagotavljanja visoke kakovosti ima naše podjetje celotno paleto kovinskega prahu tantala, ki lahko zadovolji potrebe različnih strank v raziskavah in razvoju, testiranju, proizvodnji, porabi itd.
